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2025-10
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532nm单频光纤激光器
532nm测试参数
|
产品名称 |
532nm单频光纤激光器 |
|
P/N |
CoSF-FC-D-532 |
|
工作模式 |
单频 单纵模 |
|
输出光纤 |
空间准直输出 |
|
尺寸 |
532nm倍频头：350mm X99mm X60mm 激光器：482mmX133mmX540mm |
|
参数 |
技术指标 |
|
供电电源 |
220VAC |
|
测试温度 |
25℃ |
|
环境湿度 |
<90% |
|
预热时间 |
<30 minutes |
1064nm基频光测试结果
|
技术参数 |
单位 |
技术指标 |
测试结果 |
||
|
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|||
|
中心波长 |
nm |
1063.7 |
1064 |
1064.3 |
1064.0120(可调) |
|
调谐精度 |
pm |
- |
1 |
- |
0.3 |
|
输出线宽 |
kHz |
- |
- |
20 |
<5 |
|
输出功率 |
W |
- |
- |
30 |
30 |
|
光束质量M2 |
|
- |
- |
1.3 |
<1.1 |
|
输出光斑大小 |
mm |
- |
- |
- |
1.20 |
|
发散角 |
mrad |
- |
- |
- |
1.5 |
|
输出RIN噪声 （RMS 10Hz~500MHz） |
% |
|
|
0.05 |
6.0X10-8 |
|
输出隔离度 |
dB |
25 |
- |
- |
30 |
|
工作温度 |
℃ |
0 |
- |
50 |
Pass |
|
存储温度 |
℃ |
-45 |
- |
65 |
Pass |
|
输出光谱 |
|
|
图1 |
||
|
输出线宽 |
|
|
图2 |
||
|
输出M2 |
|
|
图3 |
||
|
输出RIN |
|
|
图4 |
||
|
输出光斑大小和光斑圆度 |
|
|
图5 |
||
|
不同基频波长对应的光栅温度和最佳晶体温度 |
|
|
表1 |
||
532nm倍频测试结果
|
技术参数 |
单位 |
技术指标 |
测试结果 |
||
|
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|||
|
中心波长 |
nm |
531.85 |
532 |
532.15 |
532.0060 |
|
532nm输出线宽 |
kHz |
- |
- |
20 |
<10 |
|
输出功率 |
W |
- |
- |
10 |
10.2 |
|
光束质量M2 |
|
- |
- |
1.3 |
<1.3 |
|
输出光斑大小 @出光口0.5m处 |
mm |
- |
0.8 |
- |
0.806 |
|
输出光斑圆度 |
|
0.9 |
- |
1.1 |
0.93 |
|
发散角（半角） |
mrad |
- |
- |
0.6 |
0.42 |
|
像散 |
% |
- |
- |
15 |
1.6 |
|
输出PER |
dB |
20 |
- |
- |
>30 |
|
输出RIN噪声 （RMS 10Hz-500MHz） |
% |
|
|
0.05 |
6.0X10-8 |
|
输出功率稳定性 @1H（RMS） |
% |
- |
- |
0.75 |
0.3@1H |
|
工作温度 |
℃ |
0 |
- |
50 |
Pass |
|
存储温度 |
℃ |
-45 |
- |
65 |
Pass |
|
输出光斑大小和光斑圆度 |
|
|
图6 |
||
|
输出功率稳定性@8H |
|
|
图7 |
||
▲ 图1：1064nm输出光谱 ▲ 图2： 1064nm输出线宽
▲ 图3：1064nm输出M2 ▲ 图4：1064nm输出RIN
▲ 图5：532nm输出光斑大小和光斑圆度 ▲ 图6：532nm输出光斑大小和光斑圆度
▲ 图7：532nm输出功率稳定性@8H
表1：1064nm基频波长对应的光栅温度和最佳晶体温度
|
基频光波长(nm) |
滤波光栅温度(℃) |
最佳倍频晶体温度(℃) |
|
1063.7 |
16.2 |
34.3 |
|
1063.8 |
19.5 |
35.3 |
|
1063.9 |
23.5 |
36.5 |
|
1064 |
26.4 |
37.65 |
|
1064.1 |
29.5 |
38.75 |
|
1064.2 |
32.6 |
39.85 |
|
1064.3 |
35.9 |
41.3 |
激光器使用注意事项
1.激光器的CH1是用来改变基频光波长的，功率默认80mW不用调；设备CH2是用来改变滤波光栅温度的，功率默认300mW不用调；CH3是用来改变倍频晶体温度和设置532输出功率的。改变基频光波长时，对应的光栅温度和倍频晶体温度也需要随之改变，这三者的最佳匹配值如表1所示。
2.改变基频光波长时，需要关掉放大器功率，并且等基频光波长、光栅温度和晶体温度稳定后再开启放大器功率，稳定时间不超过3min，等温度稳定下来后再进行开光操作。
3.开光需要尽量设置小步进进行调节（最高不要超过500mW），突然大步进设置功率可能会导致晶体温度变化，效率变低。
4.需要调整晶体温度到最佳温度再开启APC，APC按钮开启后，设置8W以下 的功率会直接进行APC控制功率，8W及以上功率会延时10s,10s后等待输出光监测 与设置光功率相等时再进行APC控制功率。如果10s后输出光监测达不到设置光功 率，需要微调晶体温度（稍微调低一点或者调高一点），使输出光监测与设置光功率相等（或者打开温度自动调节按钮，激光器会自动寻找倍频晶体当前状态下的最佳温度），进行APC控制功率（当pin2监测为0时，未开启APC功能；当pin2监测为1时，APC进入等待状态，等待输出光监测与设置光功率相等，即开启APC；只有当pin2监测为2时，APC功能生效，开始自动功率控制）。
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